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BC327-40J18Z

更新时间： 2024-09-17 14:32:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 68K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN

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BC327-40J18Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.02
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：170JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC327-40J18Z 数据手册

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BC327/328  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages  
Complement to BC337/BC338  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
: BC327  
: BC328  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
-50  
-30  
V
V
CEO  
EBO  
: BC327  
: BC328  
-45  
-25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
-800  
V
I
Collector Current (DC)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
mA  
mW  
°C  
C
P
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage I = -10mA, I =0  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
: BC327  
: BC328  
-45  
-25  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage I = -0.1mA, V =0  
C
BE  
: BC327  
: BC328  
-50  
-30  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
IE= -10µA, I =0  
-5  
V
C
I
Collector Cut-off Current  
: BC307  
CES  
V
V
= -45V, V =0  
= -25V, V =0  
BE  
-2  
-2  
-100  
-100  
nA  
nA  
CE  
CE  
BE  
: BC338  
h
h
DC Current Gain  
V
V
= -1V, I = -100mA  
100  
40  
630  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -300mA  
C
V
V
(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage  
(on) Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -500mA, I = -50mA  
-0.7  
-1.2  
V
V
CE  
C
B
V
= -1V, I = -300mA  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
V
V
= -5V, I = -10mA, f=20MHz  
100  
12  
MHz  
pF  
T
C
C
= -10V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
16  
100 ~ 250  
60-  
25  
40  
h
h
160 ~ 400  
100-  
250 ~ 630  
170-  
FE1  
FE2  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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与BC327-40J18Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC327-40P MCC

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 		TRANSISTOR 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3, BIP G
BC327-40T/R DIOTEC

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 		PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC327-40-T/R NXP

获取价格

 		500mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
BC32740TA ONSEMI

获取价格

 		PNP 双极晶体管
BC32740TA_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC327-40ZL1 ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
BC327-40ZL1G ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
BC327A FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor
BC327A CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC327-A SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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