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BC327A

更新时间： 2024-09-16 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 51K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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BC327A 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.32Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC327A 数据手册

 浏览型号BC327A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC327A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC327A的Datasheet PDF文件第4页 
BC327A  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Switching and Amplifier Applications  
•
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages  
TO-92  
1
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings *  
T
= 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
CES  
-60  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
Collector Current (DC)  
-800  
625  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage I = -10mA, I =0  
-60  
-60  
-5  
V
V
CEO  
CES  
EBO  
C
B
Collector-Emitter Breakdown Voltage I = -100µA, V =0  
C
BE  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
I = -100µA, I =0  
V
E
C
I
V
= -45V, V =0  
-100  
400  
nA  
CES  
CE  
BE  
h
h
V
V
= -1V, I = -100mA  
100  
40  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -500mA  
C
V
V
(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage  
(on) Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -500mA, I = -50mA  
-0.7  
-1.2  
V
V
CE  
BE  
C
B
V
= -1V, I = -300mA  
C
CE  
CE  
CB  
f
V
V
= -5V, I = -10mA, f=20MHz  
100  
12  
MHz  
pF  
T
C
C
= -10V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
BC327A Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234

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BC327A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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