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BC212LB

更新时间： 2024-11-03 22:27:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 29K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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BC212LB 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.34Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BC212LB 数据手册

 浏览型号BC212LB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC212LB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC212LB的Datasheet PDF文件第4页 
BC212LB  
PNP General Purpose Amplifier  
•
This device is designed for general purpose amplifier application at  
collector currents to 100mA.  
•
Sourced from process 68.  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
50  
V
V
CEO  
60  
5
CBO  
EBO  
V
I
- Continuous  
100  
mA  
°C  
C
T
T
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J, STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 2mA  
50  
60  
5
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
C
E
= 10µA  
= 10µA  
I
I
V
V
= 30V  
= 4V  
15  
15  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
Emitter Cut-off Current  
On Characteristics*  
h
DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 10µA  
40  
60  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 2mA  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 100mA, I = 5mA  
0.6  
1.4  
V
V
V
CE  
BE  
BE  
C
C
B
= 100mA, I = 5mA  
B
V
= 5V, I = 2mA  
0.6  
60  
0.72  
CE  
C
Small Signal Characteristics  
C
Output Capacitance  
Small Signal Current Gain  
Noise Figure  
V
V
V
= 10V, f = 1MHz  
6
pF  
dB  
ob  
CE  
CE  
CE  
h
= 5V, I = 2mA, f = 1KHz  
C
FE  
NF  
= 5V, I = 200µA, f = 1KHz  
10  
C
R
= 2KΩ, BW = 200Hz  
G
* Pulse Test: Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, August 2002  
1234

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BC212LB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC548TFR FAIRCHILD

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC640_J35Z FAIRCHILD

类似代替

 PNP Epitaxial Silicon Transistor
BC560CBU FAIRCHILD

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

与BC212LB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC212LBD26Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC212LBD27Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC212LBD75Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC212LBJ05Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
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获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC212LC MICRO-ELECTRONICS

获取价格

 		Transistor,
BC212LD26Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
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