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BC212LBJ18Z

更新时间： 2024-11-04 14:41:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 27K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN

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BC212LBJ18Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.59
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BC212LBJ18Z 数据手册

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BC212LB  
PNP General Purpose Amplifier  
•
This device is designed for general purpose amplifier application at  
collector currents to 100mA.  
•
Sourced from process 68.  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
50  
V
V
CEO  
60  
5
CBO  
EBO  
V
I
- Continuous  
100  
mA  
°C  
C
T
T
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J, STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 2mA  
50  
60  
5
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
C
E
= 10µA  
= 10µA  
I
I
V
V
= 30V  
= 4V  
15  
15  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
Emitter Cut-off Current  
On Characteristics*  
h
DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 10µA  
40  
60  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 2mA  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 100mA, I = 5mA  
0.6  
1.4  
V
V
V
CE  
BE  
BE  
C
C
B
= 100mA, I = 5mA  
B
V
= 5V, I = 2mA  
0.6  
60  
0.72  
CE  
C
Small Signal Characteristics  
C
Output Capacitance  
Small Signal Current Gain  
Noise Figure  
V
V
V
= 10V, f = 1MHz  
6
pF  
dB  
ob  
CE  
CE  
CE  
h
= 5V, I = 2mA, f = 1KHz  
C
FE  
NF  
= 5V, I = 200µA, f = 1KHz  
10  
C
R
= 2KΩ, BW = 200Hz  
G
* Pulse Test: Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, March 2002  
1234

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