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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.78 | Is Samacsys： | N |
| 最小击穿电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小二极管电容比： | 12 | 标称二极管电容： | 24 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | VERY HIGH FREQUENCY | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 最大反向电流： | 1e-8 µA |
| 反向测试电压： | 28 V | 子类别： | Varactors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BBY42212 | NXP |
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暂无描述 |
|
| BBY42235 | NXP |
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DIODE VHF-UHF BAND, 24 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode |
|
| BBY42-T | NXP |
获取价格 |
DIODE VHF BAND, 24 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, |
|
| BBY42T/R | NXP |
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DIODE VHF BAND, 24 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, |
|
| BBY42TRL | NXP |
获取价格 |
DIODE VHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode |
|
| BBY42TRL | YAGEO |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon |
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| BBY42TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon |
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| BBY51 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode (High Q hyperabrupt dual tuning diode Designed for low tuning voltage |
|
| BBY51_07 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode |
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| BBY51-02L | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode |
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