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BBY51-07 PDF预览

BBY51-07

更新时间： 2024-11-15 22:10:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 36K
描述
Silicon Tuning Diode (High Q hyperabrupt dual tuning diode Designed for low tuning voltage operation

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BBY51-07 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-143
包装说明：R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.08
最小击穿电压：7 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差：11.11%最小二极管电容比：1.55
标称二极管电容：5.3 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：7 V子类别：Varactors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED变容二极管分类：HYPERABRUPT
Base Number Matches：1

BBY51-07 数据手册

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BBY 51-07  
Silicon Tuning Diode  
• High Q hyperabrupt dual tuning diode  
• Designed for low tuning voltage operation  
• For VCO's in mobile communications equipment  
Type  
Marking Ordering Code  
HHs Q62702-  
Pin Configuration  
Package  
BBY 51-07  
1 = C1 2 = C2 3 = A2 4 = A1 SOT-143  
Maximum Ratings per diode  
Parameter  
Symbol  
Values  
7
Unit  
V
Diode reverse voltage  
Forward current  
V
R
I
20  
mA  
°C  
F
Operating temperature range  
Storage temperature  
T
T
- 55 ... + 150  
- 55 ... + 150  
op  
stg  
Semiconductor Group  
1
Jan-08-1997  
123

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