5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.09 |
| 最小击穿电压： | 7 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小二极管电容比： | 1.55 | 标称二极管电容： | 5.3 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 变容二极管分类： | HYPERABRUPT | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BBY51-07E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 5.3pF C(T), 7V, Silicon, Hyperabrupt |
|
| BBY52 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode (High Q hyperabrupt dual tuning diode Designed for low tuning voltage |
|
| BBY52_07 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Tuning Diodes |
|
| BBY52-02L | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Tuning Diodes |
|
| BBY52-02L-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 1.85pF C(T) |
|
| BBY5202LE6327XTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 1.85pF C(T), 7V, Silicon, Hyperabrupt, LEADLESS, TSLP-2 |
|
| BBY5202LE6816XT | INFINEON |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 1.85pF C(T), 7V, Silicon, Hyperabrupt, LEADLESS, TSLP-2 |
|
| BBY52-02W | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode (High Q hyperband tuning diode Low series inductance) |
|
| BBY52-02W-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 1.85pF C(T), |
|
| BBY52-02W-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 1.85pF C(T) |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
