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BBY51-02W PDF预览

BBY51-02W

更新时间： 2024-11-25 22:10:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 17K
描述
Silicon Tuning Diode (High Q hyperabrupt tuning diode Low series inductance)

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BBY51-02W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.2其他特性：LOW INDUCTANCE
最小击穿电压：7 V配置：SINGLE
二极管电容容差：6.48%最小二极管电容比：1.55
标称二极管电容：5.4 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：7 V子类别：Varactors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
变容二极管分类：HYPERABRUPTBase Number Matches：1

BBY51-02W 数据手册

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BBY 51-02W  
Silicon Tuning Diode  
Preliminary data  
• High Q hyperabrupt tuning diode  
• Low series inductance  
2
• Designed for low tuning voltage operation  
• For VCO’s in mobile communications equipment  
1
VES05991  
Type  
Marking Ordering Code  
Q62702-B0858  
Pin Configuration  
Package  
BBY 51-02W  
I
1 = C  
2 = A  
SCD-80  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Diode reverse voltage  
Forward current  
7
V
R
20  
mA  
I
F
Operating temperature range  
Storage temperature  
-55 ...+150  
°C  
T
T
op  
-55 ...+150  
stg  
Semiconductor Group  
Semiconductor Group  
1
Jul-23-1998  
1998-11-01  
1
123

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