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BBY51-03WE6433

更新时间： 2024-11-16 21:09:27

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英飞凌 - INFINEON		/
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9页	610K
描述
Variable Capacitance Diode, 5.4pF C(T), 7V, Silicon, Hyperabrupt, SOD-323, 2 PIN

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BBY51-03WE6433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOD	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.07	最小击穿电压：	7 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	6.48%
最小二极管电容比：	1.55	标称二极管电容：	5.4 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	7 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
变容二极管分类：	HYPERABRUPT	Base Number Matches：	1

BBY51-03WE6433 数据手册

BBY51...

Silicon Tuning Diode

• High Q hyperabrupt tuning diode

• Designed for low tuning voltage operation

• For VCO's in mobile communications equipment

BBY51

BBY51-02L

BBY51-02W

BBY51-03W

Type

Package

Configuration

common cathode

single, leadless

single

L (nH) Marking

BBY51

SOT23

S3s

BBY51-02L*

BBY51-02W

BBY51-03W

TSLP-2-1

SCD80

SOD323

0.4

0.6

1.8

single

* Preliminary

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Diode reverse voltage

Forward current

Operating temperature range

Storage temperature

Symbol

Value

Unit

°C

-55 ... 125

-55 ... 150

stg

Dec-15-2003

12 3 4 5 6 7...9

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