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BBY40TA

更新时间： 2024-09-29 14:47:59

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		光电二极管变容二极管
页数	文件大小	规格书
2页	42K
描述
Variable Capacitance Diode, 28V, Silicon, Hyperabrupt

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BBY40TA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	6.68
其他特性：	LOW NOISE	最小击穿电压：	28 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	10.34%
最小二极管电容比：	5	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	235
最大功率耗散：	0.33 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	变容二极管分类：	HYPERABRUPT
Base Number Matches：	1

BBY40TA 数据手册

SOT23 SILICON PLANAR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

ISSUE 4 – JANUARY 1998

BBY40

PIN CONFIGURATION

PARTMARKING DETAIL

BBY40 – S2

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

330

UNIT

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Reverse Breakdown

Voltage

V_BR28.0

I_R= 10µA

Reverse current

I_R

1.0

µA

V_R= 28V

V_R= 28V, T_amb= 60°C

TUNING CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Diode Capacitance

C_d26.0

32.0

6.0

V_R= 3V, f=1MHz

4.3

5.0

V_R= 25V, f=1MHz

Capacitance Ratio

Series Resistance

_d/ C_d

6.5

0.6

V_R= 3V/25V, f=1MHz

r_d

0.4

f=200MHz at the value

of V_Rat which

C_d=25pF

Ω

Spice parameter data is available upon request for this device

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BBY40TA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BBY40TA	DIODES	功能相似	Variable Capacitance Diode, 28V, Silicon, Hyperabrupt

与BBY40TA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BBY40TC	ZETEX	获取价格	Variable Capacitance Diode, 28V, Silicon, Hyperabrupt
BBY40TRL	NXP	获取价格	DIODE VHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode
BBY40TRL13	NXP	获取价格	DIODE VHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode
BBY40TRL13	YAGEO	获取价格	Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon
BBY42	NXP	获取价格	VHF variable capacitance diode
BBY42	YAGEO	获取价格	Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon
BBY42212	NXP	获取价格	暂无描述
BBY42235	NXP	获取价格	DIODE VHF-UHF BAND, 24 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode
BBY42-T	NXP	获取价格	DIODE VHF BAND, 24 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD,
BBY42T/R	NXP	获取价格	DIODE VHF BAND, 24 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD,

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