5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE | 最小二极管电容比： | 12 |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BBY42212 | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BBY42235 | NXP |
获取价格 |
DIODE VHF-UHF BAND, 24 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode |
|
| BBY42-T | NXP |
获取价格 |
DIODE VHF BAND, 24 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, |
|
| BBY42T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE VHF BAND, 24 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, |
|
| BBY42TRL | NXP |
获取价格 |
DIODE VHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode |
|
| BBY42TRL | YAGEO |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon |
|
| BBY42TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon |
|
| BBY51 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode (High Q hyperabrupt dual tuning diode Designed for low tuning voltage |
|
| BBY51_07 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode |
|
| BBY51-02L | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Tuning Diode |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
