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BAW78B PDF预览

BAW78B

更新时间： 2024-11-20 22:05:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage)

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BAW78B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：VPS05162, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.48
Is Samacsys：N外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2 V
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：1 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：1 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAW78B 数据手册

 浏览型号BAW78B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAW78B的Datasheet PDF文件第3页 
Silicon Switching Diodes  
BAW 78 A  
… BAW 78 D  
● Switching applications  
● High breakdown voltage  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
BAW 78 A  
BAW 78 B  
BAW 78 C  
BAW 78 D  
GA  
GB  
GC  
GD  
Q62702-A778  
Q62702-A779  
Q62702-A784  
Q62702-A109  
SOT-89  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
BAW 78 A BAW 78 B BAW 78 C BAW 78 D  
Unit  
Reverse voltage  
V
R
50  
50  
100  
100  
200  
200  
400  
400  
V
A
Peak reverse voltage  
Forward current  
VRM  
I
I
I
F
1
1
Peak forward current  
FM  
FS  
Surge forward current  
10  
t = 1 µs  
Total power dissipation  
Ptot  
1
W
TS  
= 125 ˚C  
Junction temperature  
Tj  
150  
˚C  
Storage temperature range Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
≤ 95  
≤ 25  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
01.97  
Semiconductor Group  
1
123

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BAW78B 替代型号

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