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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最大输出电流： | 0.25 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC50001-021 |
| 最大重复峰值反向电压： | 75 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAW62,133 | NXP |
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BAW62 - High-speed diode AXIAL 2-Pin |
|
| BAW62,143 | NXP |
获取价格 |
BAW62 - High-speed diode AXIAL 2-Pin |
|
| BAW62.TR | TI |
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75V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| BAW62/A52R | ETC |
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DIODE KLEINSIGNAL |
|
| BAW62_T50A | FAIRCHILD |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), |
|
| BAW62136 | NXP |
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DIODE 0.25 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAW62153 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAW62T/R | NXP |
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DIODE 0.25 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal |
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| BAW62T26A | TI |
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75V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| BAW62T26R | TI |
获取价格 |
75V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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