BAW75

更新时间： 2024-01-12 18:46:57

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威世 - VISHAY		整流二极管
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3页	37K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode

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BAW75 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.15 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	35 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.002 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BAW75 数据手册

BAW75

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Diode

Applications

Extreme fast switches

94 9367

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Test Conditions

Type

Symbol

RRM

Value

Unit

Peak forward surge current

Repetitive peak forward current

Forward current

Average forward current

Power dissipation

t =1 s

2000

450

300

150

440

FSM

FRM

V =0

FAV

l=4mm, T =45 C

l=4mm, T 25 C

500

200

Junction temperature

Storage temperature range

stg

–65...+200

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

l=4mm, T =constant

Symbol

thJA

Value

350

Unit

K/W

Document Number 85550

Rev. 2, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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