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BAW62T/R

更新时间: 2024-11-11 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
7页 38K
描述
DIODE 0.25 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

BAW62T/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-35包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.74外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.35 W
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC50001-021
最大重复峰值反向电压:75 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BAW62T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BAW62  
High-speed diode  
1996 Sep 17  
Product specification  
Supersedes data of April 1996  

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