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BAW62

更新时间： 2024-02-12 08:45:20

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SYNSEMI		二极管开关
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
HIGH SPEED SWITCHING DIODE

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BAW62 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.74	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最大输出电流：	0.25 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC50001-021
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向电流：	5 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAW62 数据手册

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

BAW62

DO - 35 Glass

(DO-204AH)

FEATURES :

• High switching speed: max. 4 ns

• Continuous reverse voltage:max. 75 V

• Repetitive peak reverse voltage:max. 75 V

• Repetitive peak forward current: max. 450 mA

• Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

0.079(2.0 )max.

min.

0.150 (3.8)

Cathode

max.

Mark

1.00 (25.4)

0.020 (0.52)max.

min.

MECHANICAL DATA :

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.)

Parameter

Symbol

V_RRM

V_RM

I_F

Value

Unit

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum Continuous Reverse Voltage

Maximum Continuous Forward Current

Maximum Power Dissipation

250

P_D

350

I_FRM

I_FSM

T_J

Maximum Repetitive Peak Forward Current

Maximum Non-repetitive Peak Forward Current at t = 1s

Maximum Junction Temperature

450

0.5

200

°C

T_S

Storage Temperature Range

-65 to + 200

°C

Electrical Characteristics (T_J= 25°C unless otherwise noted)

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Parameter

Symbol

I_R

V_R= 75 V

Reverse Current

V_R= 75 V , Tj = 150 °C

I_F= 100 mA

100

1.0

2.0

V_F

Forward Voltage

f = 1MHz ; V_R= 0

I_F= 10 mA to I_R= 10 mA

R_L= 100 W ; measured

at I_R= 1mA

Diode Capacitance

Reverse Recovery Time

Trr

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 25, 2005

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