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BAV756DW

更新时间： 2024-11-21 12:54:39

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SWITCHING DIODE

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BAV756DW 数据手册

RoHS

BAV756DW

SOT-363

BAV756DW

SWITCHING DIODE

FEATURES

Power dissipation

P_D:

200

150

mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_F:

Collector-base voltage

V_R:75

Operating and storage junction temperature range

T_J,T_stg: -55℃ to +150℃

MARKING:KCA

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

V_{(BR) R}

I_R= 2.5µA

V_R=75V

V_R=20V

2.5

Reverse voltage leakage current

I_R

µA

0.025

I_F=1mA

715

855

1000

1250

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=150mA

Forward voltage

V_F

C_j

t_rr

Junction capacitance

Reveres recovery time

V_R=0V

f=1MHz

I_F=I_R=10mA

I_rr=0.1ХI_R

R_L=100Ω

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

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