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BAV756S

更新时间: 2024-09-24 22:48:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管开关
页数 文件大小 规格书
12页 77K
描述
High-speed switching diode array

BAV756S 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-88
包装说明:R-PDSO-G6针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.47
配置:COMPLEX二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:4
端子数量:6最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:90 V最大反向电流:2.5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs反向测试电压:75 V
子类别:Other Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30

BAV756S 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BAV756S  
High-speed switching diode array  
Product specification  
1997 Oct 21  
Supersedes data of 1997 Aug 27  
File under Discrete Semiconductors, SC01  

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