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BAV70WT1

更新时间： 2024-11-17 22:08:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 103K
描述
Dual Switching Diode

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BAV70WT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-70包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.25配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.006 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BAV70WT1 数据手册

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by BAV70WT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
ANODE  
1
3
2
CATHODE  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
1
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Max  
Unit  
2
V
R
70  
Vdc  
CASE 419–02, STYLE 5  
SC–70/SOT–323  
Forward Current  
I
200  
500  
mAdc  
mAdc  
F
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
FM(surge)  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
200  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.6  
0.625  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
A4  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Reverse Breakdown Voltage  
V
(BR)  
70  
—
Vdc  
(I  
(BR)  
= 100 µAdc)  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V = 70 Vdc)  
(V = 50 Vdc)  
R
I
I
—
—
5.0  
100  
µAdc  
nAdc  
R
R1  
R2  
Diode Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
R
C
—
1.5  
pF  
D
Forward Voltage  
V
F
mVdc  
(I = 1.0 mAdc)  
—
—
—
—
715  
855  
1000  
1250  
F
(I = 10 mAdc)  
F
(I = 50 mAdc)  
F
(I = 150 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time  
t
—
6.0  
ns  
V
rr  
(I = I = 10 mAdc, R = 100 Ω, I = 1.0 mAdc) (Figure 1)  
R(REC)  
F
R
L
Forward Recovery Voltage  
V
RF  
—
1.75  
(I = 10 mAdc, t = 20 ns) (Figure 2)  
F
r
1. FR–5 = 1.0  
0.75 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4  
0.3  
0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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BAV70WT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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BAV70WT3 MOTOROLA

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 		2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 419-02, SC-70, 3 PIN
BAV70WT3 ONSEMI

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 		DIODE 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SC-70, 3 PIN, Signal Diode
BAV70W-T3 WTE

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 		SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV70WTF2 YANGJIE

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.075A, 100V V(RRM), Silicon,
BAV70WTHE3 MCC

获取价格

 		Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;

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