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BAV74

更新时间： 2024-02-02 04:48:17

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描述
SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODE

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BAV74 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.1
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAV74 数据手册

BAV74

SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODE

High Speed Switching Dual Diodes

Marking Code: A4

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Peak Repetitive Reverse Voltage

Continuous Reverse Voltage

Symbol

V_RRM

V_R

Value

Unit

Forward Current (DC)

Single Diode Loaded

Double Diode Loaded

215

125

I_F

Repetitive Peak Forward Current

I_FRM

450

Non-Repetitive Peak Forward Current

at t = 1 μs

at t = 1 ms

at t = 1 s

I_FSM

0.5

Power Dissipation

P_d

T_J

T_S

350

150

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Max.

Unit

Forward Voltage

at I_F= 1 mA

at I_F= 10 mA

at I_F= 50 mA

at I_F= 150 mA

V_F

715

855

1.25

Reverse Current

at V_R= 25 V

at V_R= 50 V

at V_R= 25 V, T_J= 150 C

at V_R= 50 V, T_J= 150 C

µA

I_R

0.1

100

Diode Capacitance

at f = 1 MHz

C_d

t_rr

Reverse Recovery Time

at I_F= I_R= 10 mA to I_R= 1 mA, R_L= 100 Ω

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 10/10/2008

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