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BAV74D87Z PDF预览

BAV74D87Z

更新时间： 2024-02-10 06:29:40
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon

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BAV74D87Z 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.63
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.35 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向电流：0.1 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

BAV74D87Z 数据手册

 浏览型号BAV74D87Z的Datasheet PDF文件第2页 
BAV70 / 74  
Connection Diagram  
3
3
3
A4  
2
1
2
1
1
2
MARKING  
A4  
BAV70  
BAV74  
JA  
SOT-23  
Small Signal Diode  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VRRM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
70  
50  
V
V
BAV70  
BAV74  
IF(AV)  
IFSM  
Average Rectified Forward Current  
200  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
1.0  
2.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 microsecond  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
150  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
350  
357  
mW  
RθJA  
°C/W  
Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Max Units  
VR  
Breakdown Voltage  
70  
50  
V
V
BAV70  
BAV74  
IR = 100 µA  
I = 100  
A
µ
R
VF  
Forward Voltage  
IF = 1.0 mA  
IF = 10 mA  
IF = 50 mA  
IF = 150 mA  
IF = 100 mA  
715  
855  
1.0  
1.25  
1.0  
60  
5.0  
100  
100  
100  
mV  
mV  
V
V
V
BAV70  
BAV74  
BAV70  
IR  
Reverse Current  
V = 25 V, T = 150 C  
A
µ
°
R
A
VR = 70 V  
VR = 70 V, TA = 150°C  
VR = 50 V  
µA  
µA  
nA  
µA  
pF  
pF  
ns  
BAV74  
VR = 50 V, TA = 150°C  
CT  
trr  
Tatal Capacitance  
VR = 0, f = 1.0 MHz  
VR = 0, f = 1.0 MHz  
IF = IR = 10 mA, IRR = 1.0 mA,  
RL = 100Ω  
1.5  
2.0  
6.0  
BAV70  
BAV74  
BAV70  
Reverse Recovery Time  
4.0  
ns  
BAV74  
IF = IR = 10 mA, IRR = 1.0 mA,  
R = 100  
Ω
L
BAV70/74, Rev.  
C
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12

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