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BAV74

更新时间： 2024-02-08 11:58:51
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SECOS 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 325K
描述
Surface Mount Switching Diode

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BAV74 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.1
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

BAV74 数据手册

 浏览型号BAV74的Datasheet PDF文件第2页 
BAV74  
Surface Mount Switching Diode  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
A
·
·
Fast Switching Speed  
L
Surface Mount Package Ideally Suited for  
Automatic Insertion  
3
S
Top View  
B
·
·
For General Purpose Switching Applications  
1
2
High Conductance  
ANODE  
V
G
3
1
3
1
C
CATHODE  
2
2
ANODE  
H
J
D
K
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Reverse Voltage  
Forward Current  
Peak Forward Surge Current, T=1s  
T=1ms  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
V
R
Vdc  
SOT-23  
Min  
Dim  
A
B
C
D
G
H
J
Max  
I
F
200  
mAdc  
2.800 3.040  
1.200 1.400  
0.890 1.110  
0.370 0.500  
1.780 2.040  
0.013 0.100  
0.085 0.177  
0.450 0.600  
0.890 1.020  
2.100 2.500  
0.450 0.600  
0.5  
1
I
Adc  
FM(surge)  
T=1us  
4
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
T
= 25°C  
A
K
L
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
S
P
V
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
All Dimension in mm  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BAV74 = JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
V
(BR)  
50  
—
Vdc  
(I  
(BR)  
= 5 µAdc)  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V = 50 Vdc, T = 125°C)  
(V = 50 Vdc)  
R
I
R
µAdc  
—
—
100  
0.1  
R
J
Diode Capacitance  
(V  
C
V
—
2.0  
pF  
D
R = 0, f = 1.0 MHz)  
Forward Voltage  
(I  
Vdc  
ns  
F
—
—
1
F = 100 mAdc)  
Reverse Recovery Time  
(I  
t
rr  
4.0  
F = IR = 10 mAdc, IR(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1) RL = 100 Ω  
1. FR–5 = 1.0 X 0.75 X 0.062 in. 2.Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024 in. 99.5% alumina.  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
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12

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