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BAV74

更新时间： 2024-01-24 16:25:55

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鲁光 - LGE		二极管开关光电二极管
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2页	224K
描述
Dual Surface Mount Switching Diode

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BAV74 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.1
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAV74 数据手册

BAV74

Dual Surface Mount Switching Diode

SOT-23

Features

For high-speed switching appilication.

Common cathode.

Applications

Small signal switching

Dimensions in inches and (millimeters)

Ordering Information

Type No.

Marking

Package Code

SOT-23

BAV74

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Diode reverse voltage

V_R

Peak Reverse Voltage

V_RM

I_F

Forward Current

200

Surge forward current, t=1μs

Total Power Dissipation T_s=35℃

Junction temperature

I_FS

4.5

P_tot

T_j

250

℃

150

Storage temperature range

T_stg

-65-+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

V_(BR)R

I_R= 100μA

V_R=50V

0.1

Reverse voltage leakage current

Forward voltage

I_R

μA

V_R=50V T_A=150℃

100

V_F

C_D

I_F=100mA

Diode capacitance

V_R=0V,f=1MHz

2.0

I_F=I_R=10mA,I_R=1mA,

Reverse recovery time

t _rr

R_L=100Ω

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

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