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BAV70WT3 PDF预览

BAV70WT3

更新时间： 2024-11-18 14:47:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
DIODE 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SC-70, 3 PIN, Signal Diode

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BAV70WT3 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.17
Is Samacsys：N配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：3
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：0.006 µs
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BAV70WT3 数据手册

 浏览型号BAV70WT3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV70WT3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BAV70WT3的Datasheet PDF文件第4页 
BAV70DXV6T5G  
Monolithic Dual Switching  
Diode Common Cathode  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
http://onsemi.com  
Compliant  
ANODE  
1
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
6
CATHODE  
2
Rating  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
ANODE  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
5
I
F
200  
mAdc  
mAdc  
ANODE  
3
CATHODE  
Peak Forward Surge Current  
I
500  
4
FM(surge)  
ANODE  
THERMAL CHARACTERISTICS  
BAV70DXV6T1  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation, T = 25°C  
P
357  
(Note 1)  
2.9  
mW  
SOT−563  
CASE 463A  
PLASTIC  
A
D
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
1
(Note 1)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
350  
(Note 1)  
ꢀ
JA  
MARKING DIAGRAM  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
A4 M G  
Total Device Dissipation, T = 25°C  
P
500  
(Note 1)  
4.0  
mW  
A
D
G
1
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
°C  
(Note 1)  
A4 = Specific Device Code  
M
G
= Month Code  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
250  
(Note 1)  
ꢀ
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
+150  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAV70DXV6T5G  
SOT−563 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
May, 2013 − Rev. 4  
BAV70DXV6T1/D  
 
1234

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与BAV70WT3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV70W-T3 WTE

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 		SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV70WTF2 YANGJIE

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.075A, 100V V(RRM), Silicon,
BAV70WTHE3 MCC

获取价格

 		Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;
BAV70WTP MCC

获取价格

 		DIODE 0.15 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode
BAV70WTQ YANGJIE

获取价格

 		SOT-323
BAV70WTR ETC

获取价格

 		DIODE STANDARD 75V 150MA SOT323
BAV70WT-T MCC

获取价格

 		Rectifier Diode,
BAV70WT-TP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
BAV70WT-TP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.075A, 75V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,
BAV73 NXP

获取价格

 		Dual high-speed switching diode in common cathode configuration

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