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BAV70TT/R

更新时间： 2024-01-28 05:08:54

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	96K
描述
0.75A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, ULTRA SMALL, PLASTIC, SMD, SC-75, 3 PIN

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BAV70TT/R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.35
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.75 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.17 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

BAV70TT/R 数据手册

BAV70 series

NXP Semiconductors

High-speed switching diodes

8. Test information

D.U.T.

10 %

+ I

= 50 Ω

SAMPLING

OSCILLOSCOPE

= 50 Ω

V = V + I × R

(1)

90 %

mga881

input signal

output signal

(1) I_R= 1 mA

Input signal: reverse pulse rise time t_r= 0.6 ns; reverse voltage pulse duration t_p= 100 ns; duty cycle δ = 0.05

Oscilloscope: rise time t_r= 0.35 ns

Fig 5. Reverse recovery time test circuit and waveforms

1 kΩ

450 Ω

90 %

= 50 Ω

OSCILLOSCOPE

= 50 Ω

D.U.T.

10 %

input signal

output signal

mga882

Input signal: forward pulse rise time t_r= 20 ns; forward current pulse duration t_p≥ 100 ns; duty cycle δ ≤ 0.005

Fig 6. Forward recovery voltage test circuit and waveforms

BAV70_SER_7

Product data sheet

Rev. 07 — 27 November 2007

7 of 15

1...4 5 678 9 10...15

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与BAV70TT/R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BAV70TT1	ONSEMI	Dual Switching Diode	获取价格
BAV70T-T1	WTE	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
BAV70TT1/D	ETC	Dual Switching Diode	获取价格
BAV70TT1G	ONSEMI	Dual Switching Diode	获取价格
BAV70T-T1-LF	WTE	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
BAV70T-TP-HF	MCC	Rectifier Diode,	获取价格