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BAV70W

更新时间： 2024-01-05 14:02:48

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安世 - NEXPERIA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	198K
描述
High-speed switching double diodeProduction

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BAV70W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.15
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.175 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAV70W 数据手册

BAV70W

High-speed switching double diode

1 July 2022

Product data sheet

1. General description

High-speed switching double diode, encapsulated in a very small SOT323 (SC-70) Surface-

Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

High switching speed: t_rr≤ 4 ns

•

Low capacitance: C_d≤ 1.5 pF

Low leakage current

Reverse voltage: V_R≤ 100 V

Very small SMD plastic package

3. Applications

•

High-speed switching

General-purpose switching

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per diode

I_R

reverse current

reverse voltage

V_R= 80 V; T_amb= 25 °C

0.5

100

µA

V_R

t_rr

reverse recovery time I_F= 10 mA; I_R= 10 mA; I_R(meas)= 1 mA;

R_L= 100 Ω; T_amb= 25 °C

12 3 4 5 6 7...10

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BAV70W/T4	NXP	0.1A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SMD, SC-70, 3 PIN	获取价格