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BAV70T-TP-HF

更新时间： 2024-01-23 14:03:02

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美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	260K
描述
Rectifier Diode,

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技术参数
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BAV70T-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.57
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.075 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

BAV70T-TP-HF 数据手册

M C C

BAS16T

BAW56T

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

Micro Commercial Components

BAV70T

BAV99T

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

xꢀ Ultra-Small Surface Mount Package

xꢀ For General Purpose Switching Applications

xꢀ High Conductance

150mW 85Volt

Switching Diode

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

BAW56T

BAS16T

BAV99T

BAV70T

Marking : JD

Marking : A2

Marking : JE

SOT-523

Marking : JJ

Maximum Ratings

xꢀ Operating Temperature: -55qC to +150qC

xꢀ Storage Temperature: -55qC to +150qC

Electrical Characteristics @ 25qC Unless Otherwise Specified

Peak Repetitive

V_RRM

85V

Reverse Voltage

Continuous

I_F

75mA

Forward Current

Power Dissipation

Peak Forward Surge

Current @t=1.0us

@t=1.0ms

P_D

150mW

DIMENSIONS

INCHES

4.0A

1.0A

0.5A

I_FSM

DIM

MIN

.059

.030

.057

MAX

.067

.033

.069

MIN

1.50

0.75

1.45

MAX

1.70

0.85

1.75

NOTE

@t=1.0s

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

715mV I_F= 1mA

855mV I_F= 10mA;

1000mV I_F= 50mA

1250mV I_F= 150mA

.020 Nominal

0.50Nominal

0.90

.035

.043

.004

.031

.008

.014

1.10

V_F

.000

.028

.004

.010

.000

.70

.100

.25

.100

0.80

.200

.35

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

I_R

V_R=75Volts

V_R=25Volts

2PA

0.03PA

Typical Total

Capacitance

Reverse Recovery

Time

Measured at

1.5pF

C_T

T_rr

1.0MHz, V_R=0V

4nS

IF = IR = 10mA,

Irr = 0.1 x IR,

RL = 100:

www.mccsemi.com

Revision: B

2013/01/01

1 of 3

12 3

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