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BAV70TT/R

更新时间： 2024-01-22 10:30:28

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	96K
描述
0.75A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, ULTRA SMALL, PLASTIC, SMD, SC-75, 3 PIN

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BAV70TT/R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.35
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.75 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.17 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

BAV70TT/R 数据手册

BAV70 series

NXP Semiconductors

High-speed switching diodes

7. Characteristics

Table 8.

Characteristics

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol

Per diode

V_F

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

[1]

forward voltage

I_F= 1 mA

715

855

I_F= 10 mA

I_F= 50 mA

I_F= 150 mA

1.25

I_R

reverse current

V_R= 25 V

µA

V_R= 80 V

0.5

V_R= 25 V; T_j= 150 °C

V_R= 80 V; T_j= 150 °C

V_R= 0 V; f = 1 MHz

100

1.5

C_d

t_rr

diode capacitance

[2]

[3]

reverse recovery time

forward recovery voltage

V_FR

1.75

[1] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

[2] When switched from I_F= 10 mA to I_R= 10 mA; R_L= 100 Ω; measured at I_R= 1 mA.

[3] When switched from I_F= 10 mA; t_r= 20 ns.

BAV70_SER_7

Product data sheet

Rev. 07 — 27 November 2007

5 of 15

1 2 3 456 7 8...15

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与BAV70TT/R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BAV70TT1	ONSEMI	Dual Switching Diode	获取价格
BAV70T-T1	WTE	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
BAV70TT1/D	ETC	Dual Switching Diode	获取价格
BAV70TT1G	ONSEMI	Dual Switching Diode	获取价格
BAV70T-T1-LF	WTE	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
BAV70T-TP-HF	MCC	Rectifier Diode,	获取价格