BAV70TT1

更新时间： 2024-01-04 07:03:52

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安森美 - ONSEMI		二极管开关
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6页	59K
描述
Dual Switching Diode

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BAV70TT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 463-01, SC-75, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.46
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.715 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	0.5 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	最大反向恢复时间：	0.006 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

BAV70TT1 数据手册

BAV70TT1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Max

Unit

Reverse Breakdown Voltage

(BR)

−

Vdc

(BR)

= 100 m Adc)

Reverse Voltage Leakage Current (Note 3)

(V = 70 Vdc)

(V = 50 Vdc)

−

5.0

100

m Adc

nAdc

Diode Capacitance

(V = 0, f = 1.0 MHz)

−

1.5

Forward Voltage

mVdc

(I = 1.0 mAdc)

−

715

855

1000

1250

(I = 10 mAdc)

(I = 50 mAdc)

(I = 150 mAdc)

Reverse Recovery Time

−

6.0

(I = I = 10 mAdc, R = 100 W, I

R(REC)

= 1.0 mAdc) (Figure 1)

Forward Recovery Voltage

(I = 10 mAdc, t = 20 ns) (Figure 2)

−

1.75

3. For each individual diode while the second diode is unbiased.

http://onsemi.com

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