Datasheet > BAT54H

BAT54H

更新时间： 2024-11-11 08:48:43

品牌	Logo	应用领域
SECOS		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	208K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAT54H 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.8	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL

BAT54H 数据手册

BAT54H

30 Volt Silicon Hot-Carrier Detector

Elektronische Bauelemente

Surface Mount Schottky Barrier Diode

RoHS Compliant Product

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

Low Turn-on Voltage

SOD–323

PLASTIC PACKAGE

Extremely Fast Switching Speed

PN Junction Guard Ring for Transient and

ESD Protection

MECHANICAL DATA

Case: SOD-323, Molded Plastic

Polarity: See Diagrams Below

•

Mounting Position : Any

Low Forward Voltage : 0.35 Volts (Typ) @ I

Shipping : 3000 / Tape & Reel

F = 10 mAdc

CATHODE

ANODE

NOTE 3

BAT54H Marking : J V

PIN 1. CATHODE

2. ANODE

NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.

3. LEAD THICKNESS SPECIFIED PER L/F DRAWING

WITH SOLDER PLATING.

MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)

Symbol

Rating

Value

Unit

MILLIMETERS

DIM MIN MAX

INCHES

MIN

MAX

0.071

0.053

0.039

0.016

Reverse Voltage

1.60

1.15

0.80

0.25

1.80 0.063

1.35 0.045

1.00 0.031

0.40 0.010

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Characteristic

Max

Unit

0.15 REF

0.006 REF

0.00

0.089

2.30

0.10 0.000

0.177 0.0035 0.0070

0.004

Total Device Dissipation FR–5 Board,*

200

= 25°C

2.70 0.091

0.106

Derate above 25°C

1.57

635

150

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

T , T

J stg

*FR–4 Minimum Pad

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

—

Max

—

Unit

Volts

Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)

—

(BR)R

Total Capacitance (V = 1.0 V, f = 1.0 MHz)

7.6

Reverse Leakage (V = 25 V)

0.5

2.0

0.24

0.5

1.0

5.0

µAdc

Vdc

Forward Voltage (I = 0.1 mAdc)

0.22

0.41

0.52

—

Forward Voltage (I = 30 mAdc)

Forward Voltage (I = 100 mAdc)

Reverse Recovery Time

(I = I = 10 mAdc, I

= 1.0 mAdc) Figure 1

R(REC)

Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)

—

0.29

0.35

—

0.32

0.40

200

300

600

Vdc

Forward Voltage (I = 10 mAdc)

Forward Current (DC)

mAdc

Repetitive Peak Forward Current

—

FRM

Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)

—

FSM

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2005 Rev. B

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

与BAT54H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAT54H,115	NXP	获取价格	BAT54H - Schottky barrier single diode in small SOD123F package SOD-123 2-Pin
BAT54H_09	WEITRON	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Diodes
BAT54H_10	SECOS	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Diode
BAT54HD	WEITRON	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Diodes
BAT54HE3	MCC	获取价格	Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;
BAT54-HE3-08	VISHAY	获取价格	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23
BAT54-HE3-18	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
BAT54HGW	NEXPERIA	获取价格	Schottky barrier single diodeProduction
BAT54HQ	YANGJIE	获取价格	SOT-23
BAT54H-Q	NEXPERIA	获取价格	Schottky barrier single diode in small SOD123F packageProduction

与BAT54H相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT54H

BAT54H 技术参数

BAT54H 数据手册

与BAT54H相关器件

与BAT54H相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT54H

BAT54H 技术参数

BAT54H 数据手册

与BAT54H相关器件

与BAT54H相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？