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BAT54HT1G PDF预览

BAT54HT1G

更新时间： 2024-11-27 21:53:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 信号二极管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 108K
描述
Small Signal Diode

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BAT54HT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOD-323
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.29
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：525854Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Small Outline Diode
Samacsys Footprint Name：SOD-323 - case 477-02 - issue HSamacsys Released Date：2017-05-03 13:47:37
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.24 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.6 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向恢复时间：0.005 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAT54HT1G 数据手册

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BAT54HT1G  
Connection Diagram  
2
2
A2  
1
SOD-323  
1
Small Signal Diode  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Value  
30  
Units  
V
V
RRM  
I
I
200  
mA  
F(AV)  
FSM  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
600  
mA  
°C  
T
T
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
-55 to +150  
STG  
J
Operating Junction Temperature  
°C  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
Units  
mW  
P
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
D
R
600  
°C/W  
θJA  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Units  
V
V
Breakdown Voltage  
I
= 10µA  
30  
V
R
R
Forward Voltage  
I
I
I
I
I
= 0.1mA  
= 1.0mA  
= 10mA  
= 30mA  
= 100mA  
240  
320  
400  
500  
0.8  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
F
F
F
F
F
F
I
Reverse Leakage  
V
V
= 25V  
2.0  
10  
µA  
pF  
ns  
R
R
R
C
Total Capacitance  
= 1V, f = 1.0MHz  
T
t
Reverse Recovery Time  
I = I = 10mA, I = 1.0mA,  
5.0  
rr  
F
R
RR  
R = 100Ω  
L
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
BAT54HT1G, Rev. A  
1234

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