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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.21 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 4 A |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.25 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 85 V |
| 最大反向电流： | 1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.006 µs |
| 反向测试电压： | 75 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAS28E6327HTSA1 | INFINEON |
功能相似  |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, SOT-143, 4 PIN |
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| BAS28 | INFINEON |
功能相似 |
Silicon Switching Diode Array (For high-speed switching Electrically insulated diodes) |
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| BAS28 | NXP |
功能相似 |
High-speed double diode |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS28TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 85V V(RRM), Silicon, |
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| BAS28TR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 85V V(RRM), Silicon, |
|
| BAS28TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon |
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| BAS28TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon |
|
| BAS28TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 85V V(RRM), Silicon, |
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| BAS28W | KEXIN |
获取价格 |
Silicon Switching Diode Array |
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| BAS28W | TYSEMI |
获取价格 |
For high-speed switching applications Electrical insulated diodes |
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| BAS28W | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diode Array (For high-speed switching applications Electrical insulated |
|
| BAS28W-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Diode, |
|
| BAS28WE6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
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