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BAS29212

更新时间: 2024-12-01 03:50:03
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恩智浦 - NXP 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
DIODE 110 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BAS29212 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.42
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:110 V最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL

BAS29212 数据手册

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