是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 19 weeks |
风险等级: | 5.73 | 配置: | COMPLEX |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 4 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 0.43 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散: | 0.3 W | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
最大反向恢复时间: | 0.006 µs | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS299N3 | CYSTEKEC |
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High âspeed double diode | |
BAS299N3-0-T1-G | CYSTEKEC |
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High âspeed double diode | |
BAS29-AH | SWST |
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小信号开关二极管 | |
BAS29D87Z | TI |
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90V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB | |
BAS29D87Z | FAIRCHILD |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon | |
BAS29L99Z | FAIRCHILD |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon | |
BAS29S62Z | FAIRCHILD |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon | |
BAS29S62Z | TI |
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90V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB | |
BAS29-T | NXP |
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DIODE 0.25 A, 110 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode | |
BAS29T/R | NXP |
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DIODE 0.25 A, 110 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode |