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BAS21JF

更新时间： 2024-02-15 00:36:42

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10页	546K
描述
DIODE GEN PURP 300V 250MA SC90

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BAS21JF 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOD
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.65
Samacsys Description：	Diodes - General Purpose, Power, Switching BAS21J - Single high-speed switching diode	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	300 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30

BAS21JF 数据手册

BAS21J

Single high-speed switching diode

Rev. 01 — 8 March 2007

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Single high-speed switching diode, encapsulated in a SOD323F (SC-90) very small and

ﬂat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

1.2 Features

I High switching speed: t_rr≤ 50 ns

I Low capacitance: C_d≤ 2 pF

I Reverse voltage: V_R≤ 300 V

I Very small and ﬂat lead SMD plastic

package

I Low leakage current

I Repetitive peak reverse voltage:

_RRM≤ 300 V

I Excellent coplanarity and improved

thermal behavior

1.3 Applications

I High-speed switching

I Voltage clamping

I General-purpose switching

I Reverse polarity protection

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

250

150

300

Unit

[1]

[2]

I_F

forward current

I_R

V_R

t_rr

reverse current

V_R= 250 V

reverse voltage

reverse recovery time

[1] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

[2] When switched from I_F= 30 mA to I_R= 30 mA; R_L= 100 Ω; measured at I_R= 3 mA.

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