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BAS21M3T5G

更新时间： 2024-01-03 13:57:20
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关高压
页数 文件大小 规格书
4页 109K
描述
High Voltage Switching Diode

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BAS21M3T5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：HALOGEN AND LEAD FREE, CASE 631AA-01, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70Factory Lead Time：4 weeks
风险等级：1.55配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.625 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.265 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：250 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

BAS21M3T5G 数据手册

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BAS21M3T5G  
High Voltage Switching  
Diode  
The BAS21M3T5G device is a spin−off of our popular SOT−23  
three−leaded device. It is designed for high voltage switching  
applications and is housed in the SOT−723 surface mount package.  
This device is ideal for low−power surface mount applications where  
board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
Features  
250 V  
HIGH VOLTAGE  
SWITCHING DIODE  
• Reduces Board Space  
• This is a Halide−Free Device  
• This is a Pb−Free Device  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
3
CATHODE  
1
ANODE  
Rating  
Symbol  
Value  
250  
Unit  
Vdc  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
I
F
200  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
625  
FM(surge)  
MARKING  
DIAGRAM  
3
Symbol  
Max  
Unit  
SOT−723  
Total Device Dissipation  
FR−5 Board (Note 1)  
P
D
mW  
AM M  
1
CASE 631AA  
STYLE 2  
265  
2.1  
2
mW/°C  
T = 25°C  
A
1
Derate above 25°C  
AM = Specific Device Code  
= Date Code  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
ꢀ
JA  
470  
°C/W  
M
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate, (Note 2) T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
640  
5.1  
mW  
mW/°C  
°C/W  
D
ORDERING INFORMATION  
A
†
Device  
BAS21M3T5G  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance,  
R
ꢀ
195  
JA  
Junction−to−Ambient  
SOT−723 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
Publication Order Number:  
1
January, 2009 − Rev. 0  
BAS21M3/D  
 
1234

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