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BAS116

更新时间: 2024-02-26 03:40:41
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恩智浦 - NXP 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 56K
描述
Low-leakage diode

BAS116 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:HALOGEN AND LEAD FREE PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.6配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.215 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.2 W最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向恢复时间:0.003 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAS116 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS116  
Low-leakage diode  
1999 May 26  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Mar 13  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAS116LT1G ONSEMI

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