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BAS116-13

更新时间： 2024-01-30 01:31:30
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 65K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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BAS116-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.16其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.215 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
最大功率耗散：0.25 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：85 V最大反向恢复时间：3 µs
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BAS116-13 数据手册

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SPICE MODEL: BAS116  
BAS116  
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE  
Features  
·
·
·
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion  
SOT-23  
Very Low Leakage Current  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 3)  
A
Mechanical Data  
·
·
B
C
Case: SOT-23  
TOP VIEW  
D
G
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
E
H
G
H
J
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
K
M
Terminal Connections: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
J
L
K
L
·
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Alloy 42 leadframe). Please See Ordering  
Information, Note 5, on Page 3  
M
a
·
·
·
Polarity: See Diagram  
Marking: K50, K54 (See Page 3)  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
BAS116  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
85  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
60  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Repetitive Peak Forward Current  
215  
500  
mA  
mA  
IFRM  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
4.0  
1.0  
0.5  
IFSM  
A
@ t = 1.0ms  
@ t = 1.0s  
Tj , TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
BAS116  
250  
Unit  
mW  
Pd  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
500  
°C/W  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IR = 100mA  
85  
¾
¾
V
IF = 1.0mA  
IF = 10mA  
IF = 50mA  
IF = 150mA  
0.90  
1.0  
VFM  
Forward Voltage (Note 2)  
¾
¾
V
1.1  
1.25  
VR = 75V  
5.0  
80  
nA  
nA  
IRM  
CT  
trr  
Leakage Current (Note 2)  
Total Capacitance  
¾
¾
¾
¾
2
VR = 75V, Tj = 150°C  
VR = 0, f = 1.0MHz  
¾
pF  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
¾
3.0  
ms  
Notes: 1. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. No Purposefully added Lead.  
DS30233 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
BAS116  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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