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BAS116,215

更新时间： 2024-02-23 08:15:53

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10页	200K
描述
DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23

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BAS116,215 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-236	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	3.21	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.9 V
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	4.5 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.215 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向恢复时间：	3 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40

BAS116,215 数据手册

BAS116

Low-leakage diode

5 August 2020

Product data sheet

1. General description

Epitaxial medium-speed switching diode with a low leakage current in a small SOT23 plastic SMD

package.

2. Features and benefits

•

Plastic SMD package

•

Low leakage current: typ. 3 pA

Switching time: typ. 0.8 us

Continuous reverse voltage: max. 75 V

Repetitive peak reverse voltage: max. 85 V

Repetitive peak forward current: max. 500 mA.

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Low leakage current applications in surface mounted circuits.

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

I_F

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

215

Unit

forward current

t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02; T_amb= 25 °C

V_RRM

repetitive peak reverse T_j= 25 °C

voltage

V_F

forward voltage

I_F= 50 mA; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;

1.1

T_j= 25 °C

I_R

t_rr

reverse current

V_R= 75 V; pulsed; T_j= 25 °C

0.003

0.8

µs

reverse recovery time I_F= 10 mA; I_R= 10 mA; R_L= 100 Ω;

I_R(meas)= 1 mA; T_j= 25 °C

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

anode

Simplified outline

Graphic symbol

n.c.

not connected

cathode

n.c.

006aaa764

SOT23

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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