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BAS116/T1

更新时间: 2024-01-11 05:27:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 64K
描述
0.215A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN

BAS116/T1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.16
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.215 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向恢复时间:3 µs表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAS116/T1 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS116  
Low-leakage diode  
Product specification  
2003 Dec 12  
Supersedes data of 1999 May 26  

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