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BAS100CS-AU_R1_000A1

更新时间： 2024-09-26 01:23:15

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强茂 - PANJIT		光电二极管
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描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES

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BAS100CS-AU_R1_000A1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS100CS-AU_R1_000A1 数据手册

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PBAS100CS-AU

SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES

SOD-323

100 V

0.5 A

Voltage

Current

Features

 Low forward voltage drop

 Deal for automated placement

 Low power loss, high efficiency

 High surge current capability

 Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

 Green molding compound as per IEC 61249 standard

 AEC-Q101 qualified

Mechanical Data

 Case: SOD-323 Package

 Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

 Approx. Weight: 0.0001 ounces, 0.004 grams

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T_A= 25^oC unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNITS

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum Rms Voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

Maximum Dc Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current

100

0.5

I_F(AV)

Peak Forward Surge Current: 8.3 ms Single Half Sine-

Wave Superimposed On Rated Load

I_FSM

C_J

5.5

Typical Junction Capacitance

Measured at 1 MHZ And Applied V_R= 4 V

(1)

R_θJA

650

230

Typical Thermal Resistance

^oC/W

(1)

R_θJC

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_J

-55~150

^oC

T_STG

November 1,2017-REV.00

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