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BAR74E6327HTSA1

更新时间： 2024-11-06 14:41:03

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管
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6页	70K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN

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BAR74E6327HTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	6.3
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAR74E6327HTSA1 数据手册

BAL74/BAR74...

Silicon Switching Diode

• For high-speed switching applications

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BAL74

BAR74

Type

Package

SOT23

Configuration

single

Marking

JCs

BAL74

BAR74

single

JBs

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

Forward current

250

Peak forward current

Surge forward current, t = 1 µs

Non-repetitive peak surge forward current

Total power dissipation

4.5

FSM

370

tot

T ≤ 54°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Value

Unit

K/W

Junction - soldering point , BAL74, BAR74

≤ 260

thJS

Pb-containing package may be available upon special request

For calculation of R_thJAplease refer to Application Note Thermal Resistance

2007-04-19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAR74TA	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon
BAR74TA	ZETEX	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon
BAR74TC	ZETEX	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon
BAR7500	DEC	获取价格	75 AMP BUTTON DIODES
BAR7500D	DEC	获取价格	75 AMP JUMBO DIODE CELL
BAR7500S	DEC	获取价格	75 AMP BUTTON DIODES
BAR7501	DEC	获取价格	75 AMP BUTTON DIODES
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BAR7501S	DEC	获取价格	75 AMP BUTTON DIODES
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