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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-213AA |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.7 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最大二极管电容： | 1.25 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| 频带： | VERY HIGH FREQUENCY | JEDEC-95代码： | DO-213AA |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 35 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | PLANAR DOPED BARRIER | 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BA682-T | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode |
|
| BA682T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode |
|
| BA682TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon |
|
| BA682TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon |
|
| BA683 | SEMTECH |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode Switches |
|
| BA683 | TYSEMI |
获取价格 |
Continuous reverse voltage:max. 35 V Low diode forward resistance:max. 0.7 to 1.2 |
|
| BA683 | KEXIN |
获取价格 |
Band-switching diodes |
|
| BA683 | NXP |
获取价格 |
Band-switching diodes |
|
| BA683 | INFINEON |
获取价格 |
SILICON PIN DIODES |
|
| BA683 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Planar Diodes |
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