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BA683

更新时间： 2024-01-07 17:18:19

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TYSEMI		二极管测试
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1页	56K
描述
Continuous reverse voltage:max. 35 V Low diode forward resistance:max. 0.7 to 1.2

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BA683 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.73
最小击穿电压：	35 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	1.5 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	频带：	VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	100 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向电流：	0.05 µA
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

BA683 数据手册

Product specification

BA682; BA683

LL-34

Unit: mm

Features

2.64REF

1.50

1.30

Continuous reverse voltage:max. 35 V

Continuous forward current:max. 100 mA

Low diode capacitance:max. 1.5 pF

Low diode forward resistance:max. 0.7 to 1.2

0.50

0.35

3.60

3.30

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Continuous reverse voltage

Symbol

Conditions

Min

-65

Max

Unit

Continuous forward current

single diode loaded

100

+150

150

300

600

Storage temperature

Tstg

Junction temperature

Thermal resistance from junction to tie-point

Thermal resistance from junction to ambient

Rth j-t p

Rth j-a

K/W

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Conditions

Max

1.0

Unit

Forward voltage

IF = 100 mA

VR = 20 V

Reverse current

VR = 20 V; Tj = 75

Diode capacitance

f = 1 MHz; VR = 1 V

1.5

1.25

1.20

0.7

1.2

0.5

0.9

BA682

Diode capacitance

BA683

f = 1 MHz; VR = 3 V

BA682

Diode forward resistance

BA683

IF = 3 mA; f = 200 MHz;

IF = 10 mA; f = 200 MHz;

BA682

Diode forward resistance

BA683

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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