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BA682-T

更新时间: 2024-09-19 21:15:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 31K
描述
DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode

BA682-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.71
最小击穿电压:35 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最大二极管电容:1.5 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V频带:VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:O-LELF-R2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:100 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.05 µA
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

BA682-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
, halfpage  
BA682; BA683  
Band-switching diodes  
1996 Mar 13  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

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