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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRFR5305TR
AUIRFR5305TR PDF预览

AUIRFR5305TR

更新时间： 2024-02-27 05:22:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 311K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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AUIRFR5305TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.11Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A
最大漏极电流 (ID)：31 A最大漏源导通电阻：0.065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AUIRFR5305TR 数据手册

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PD-96341  
AUTOMOTIVE MOSFET  
AUIRFR5305  
AUIRFU5305  
HEXFET® Power MOSFET  
D
S
Features  
V(BR)DSS  
-55V  
0.065  
AdvancedPlanarTechnology  
LowOn-Resistance  
RDS(on) max.  
ID  
Ω
Dynamic dV/dT Rating  
G
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Fully Avalanche Rated  
-31A  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
D
D
S
Description  
S
D
D
G
G
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellular  
Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the  
latestprocessingtechniquestoachievelowon-resistanceper  
silicon area. This benefit combined with the fast switching  
speed and ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETs are well known for, provides the designer with an  
extremely efficient and reliable device for use in Automotive  
and a wide variety of other applications.  
D-Pak  
AUIRFR5305  
I-Pak  
AUIRFU5305  
G
Gate  
D
Drain  
S
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.Thesearestress  
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications  
isnotimplied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability. Thethermal  
resistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.Ambienttemperature(TA)  
is 25°C, unless otherwise specified.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
-31  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
-22  
A
-110  
110  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
0.71  
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
280  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally limited)  
Avalanche Current  
mJ  
A
-16  
EAR  
dv/dt  
TJ  
11  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.4  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
50  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB mount) ∗∗  
Junction-to-Ambient ***  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
12/06/10  
1234567...13

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AUIRFR5305TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR5305 INFINEON

完全替代

 Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A)
IRFR5305TRPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET® Power MOSFET
IRFR5305PBF INFINEON

功能相似

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on)

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