是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40 |
针数: | 40 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.58 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | NO |
系统内可编程: | NO | JESD-30 代码: | R-PDIP-T40 |
JESD-609代码: | e0 | JTAG BST: | NO |
长度: | 52.324 mm | 专用输入次数: | 14 |
I/O 线路数量: | 24 | 宏单元数: | 24 |
端子数量: | 40 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 14 DEDICATED INPUTS, 24 I/O |
输出函数: | MACROCELL | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP40,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
可编程逻辑类型: | EE PLD | 传播延迟: | 20 ns |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.826 mm |
子类别: | Programmable Logic Devices | 最大供电电压: | 5.5 V |
最小供电电压: | 4.5 V | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ATF2500CQ-25CC | ATMEL |
获取价格 |
EE PLD, 25ns, CMOS, CDIP40, 0.600 INCH, CERDIP-40 |
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ATF2500CQ-25CI | ATMEL |
获取价格 |
EE PLD, 25ns, CMOS, CDIP40, 0.600 INCH, CERDIP-40 |
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ATF2500CQ-25KC | ATMEL |
获取价格 |
EE PLD, 25ns, 24-Cell, CMOS, CQCC44, CERAMIC, LCC-44 |
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ATF25100 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 50MA I(DSS) | CHIP |
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ATF25170 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 50MA I(DSS) | MICRO-XVAR |
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ATF-25170 | AGILENT |
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0.5-10 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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ATF25570 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 50MA I(DSS) | MICRO-XVAR |
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ATF-25570 | AGILENT |
获取价格 |
0.5-10 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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ATF25735 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 50MA I(DSS) | MICRO-XVAR |
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ATF-25735 | AGILENT |
获取价格 |
0.5-10 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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