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AT68166FT-YM25-SV

更新时间： 2024-02-28 05:07:43

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爱特美尔 - ATMEL		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	339K
描述
512KX32 STANDARD SRAM, 25ns, CQFP68, 0.950 INCH, CERAMIC, QFP-68

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AT68166FT-YM25-SV 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	GQFF,	针数：	68
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.42
最长访问时间：	25 ns	其他特性：	IT CAN BE USED AS 2BANK OF 512K X 16 OR 4BANK OF 512K X 8 ALSO
JESD-30 代码：	S-CQFP-F68	长度：	24.13 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	68	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX32	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	GQFF	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, GUARD RING	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：	4.7 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
总剂量：	300k Rad(Si) V	宽度：	24.13 mm
Base Number Matches：	1

AT68166FT-YM25-SV 数据手册

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Features

• Can be used as either 1 off 512k x 32, 2 off 512k x 16 or 4 off 512k x 8

• Operating Voltage: 3.3V

• Access Time:

– 15 ns for 3.3V biased only (AT68166F)

– 25 ns & 17 ns for 5V Tolerant (AT68166FT)

• Very Low Power Consumption

– Active: 650 mW per byte (Max) @ 15 ns - 540 mW per byte (Max) @ 25ns

– Standby: 15 mW (Typ)

• Wide Temperature Range: -55 to +125°C

• TTL-Compatible Inputs and Outputs

Rad Hard

• Asynchronous

• Die manufactured on Atmel 0.25 µm Radiation Hardened Process

• No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²

• Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

• 950 Mils Wide MQFPT 68 Package

16 MegaBit

SRAM Multi

Chip Module

• ESD Better than 4000V for the AT68166F

• ESD Better than 2000V for the AT68166FT

• Quality Grades: ESCC, QML-Q or V

Description

AT68166F

AT68166FT

The AT68166F/FT is a Radiation Hardened hermetic Multi Chip Modules (MCM), inte-

grating very low-power CMOS asynchronous static RAM which can be organized as 1

bank off 512K x 32, 2 banks off 512Kx16, or 4 banks off 512Kx8. It is built with 4 dies

of the AT60142F/FT SRAM keeping all their basic characteristics: power consump-

tion, stand by current, data retention, Multiple Bit Upset (MBU) immune, etc…

This MCM takes full benefit of Atmel expertise in hermetic ceramic package assembly.

The small size of the AT60142F/FT die allows for assembling it in a 68 pins quad flat

pack which results into a package footprint compatible with products from other

sources. Furthermore, all die being assembled on the same package side makes

power dissipation through the PCB much easier and more efficient.

Advanced

Information

This MCM brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as

low power consumption and higher integration density, saving 75% of the PCB area

used when using the individually package 4MB SRAM.

The F version is biased at 3.3V and is not 5V tolerant. It is available in 15 ns

specification.

The FT version is a variant allowing for 5V tolerance. It is available in 25 ns and 17 ns

specification.

The AT68166F/FT will be processed according to the test methods of the latest revi-

sion of the MIL PRF-38535 or the ESCC 9000.

7531B–AERO–02/06

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