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AT68166FT-YS18-SCC

更新时间： 2024-01-17 11:07:36

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爱特美尔 - ATMEL		存储静态存储器
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Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi- Chip Module

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AT68166FT-YS18-SCC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	0.950 INCH, NCTB, CERAMIC, MQFP-68	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.54	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	18 ns	其他特性：	IT CAN BE USED AS 2 BANK OF 512K X 16 OR 4 BANK OF 512K X 8 ALSO
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CQFP-F68
长度：	24.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QFF	封装等效代码：	TPAK68,2.5SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class V	座面最大高度：	4.7 mm
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	24.14 mm	Base Number Matches：	1

AT68166FT-YS18-SCC 数据手册

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Features

• 16 Mbit SRAM Multi Chip Module

• Allows 32-, 16- or 8-bit access configuration

• Operating Voltage: 3.3V + 0.3V, 5V Tolerant

• Access Time:

– 25 ns, 20 ns

– 18 ns (preliminary information)

• Very Low Power Consumption

– Active: 595 mW per byte (Max) @ 20 ns⁽¹⁾, 415mW per byte (Max) @ 50ns⁽²⁾

– Standby: 15 mW (Typ)

• Military Temperature Range: -55 to +125°C

• TTL-Compatible Inputs and Outputs

• Asynchronous

• Die manufactured on Atmel 0.25 µm Radiation Hardened Process

• No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²

• Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

• ESD Better than 2000V

Rad Hard

16 MegaBit 3.3V

5V Tolerant

SRAM Multi-

Chip Module

• Quality Grades:

– QML-Q or V with SMD 5962-06229

– ESCC

• 950 Mils Wide MQFP 68 Package

• Mass : 8.5 grams

Notes: 1. For AT68166FT-20 only. 540mW for AT68166FT-25.

2. For AT68166FT-20 only. 450mW for AT68166FT-25.

AT68166FT

Description

The AT68166FT is a 16Mbit SRAM packaged in a hermetic Multi Chip Module (MCM)

for space applications.

The AT68166FT MCM incorporates four 4Mbit AT60142FT SRAM dice. It can be orga-

nized as either one bank of 512Kx8, two banks of 512Kx16 or four banks of 512Kx8. It

combines rad-hard capabilities, a latch-up threshold of 80MeV.cm²/mg, a Multiple Bit

Upset immunity and a total dose tolerance of 300Krads, with a fast access time.

The MCM packaging technology allows a reduction of the PCB area by 50% with a

weight savings of 75% compared to four 4Mbit packages.

Thanks to the small size of the 4Mbit SRAM die, Atmel has been able to accommo-

date the assembly of the four dice on one side of the package which facilitates the

power dissipation.

The compatibility with other products allows designers to easily migrate to the Atmel

AT68166FT memory.

The AT68166FT is powered at 3.3V and is 5V tolerant.

The AT68166FT is processed according to the test methods of the latest revision of

the MIL-PRF-38535 or the ESCC 9000.

7531H–AERO–04/09

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