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AT68166F-YS18-E

更新时间： 2024-02-23 06:07:13

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爱特美尔 - ATMEL		内存集成电路静态存储器
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17页	316K
描述
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM MultiChip Module

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AT68166F-YS18-E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.950 INCH, CERAMIC, MQFP-68	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.39	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	18 ns	其他特性：	IT CAN BE USED AS 2 BANK OF 512K X 16 OR 4 BANK OF 512K X 8 ALSO
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CQFP-F68
长度：	24.13 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QFF	封装等效代码：	TPAK68,2.5SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class V
座面最大高度：	4.7 mm	最大待机电流：	0.0045 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.17 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	24.13 mm	Base Number Matches：	1

AT68166F-YS18-E 数据手册

Features

•

16 Mbit SRAM Multi Chip Module

Allows 32-, 16- or 8-bit access configuration

Operating Voltage: 3.3V + 0.3V

Access Time

– 20 ns, 18 ns for AT68166F

– <18 ns for AT68166G (in development prototypes in Q4 2007)

Power Consumption

– Active: 620 mW per byte (Max) @ 18ns - 415 mW per byte (Max) @ 50ns ⁽¹⁾

– Standby: 13 mW (Typ)

•

Military Temperature Range: -55 to +125°C

TTL-Compatible Inputs and Outputs

Asynchronous

Rad Hard

16 MegaBit

3.3V

Die manufactured on Atmel 0.25 µm Radiation Hardened Process

No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²

Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

ESD Better than 4000V

SRAM Multi-

Chip Module

Quality Grades:

– QML-Q or V with SMD 5962-06229

– ESCC

950 Mils Wide MQFP 68 Package

•

Mass : 8.5 grams

AT68166F

AT68166G

Note:

1. Only for AT68166F-18. 450mW for AT68166F-20.

Description

The AT68166F/G is a 16Mbit SRAM packaged in a hermetic Multi Chip Module

(MCM) for space applications.

The AT68166F/G MCM incorporates four 4Mbit AT60142FT SRAM dice. It can be

organized as either one bank of 512Kx8, two banks of 512Kx16 or four banks of

512Kx8. It combines rad-hard capabilities, a latch-up threshold of 80MeV.cm²/mg, a

Multiple Bit Upset immunity and a total dose tolerance of 300Krads, with a fast access

time.

The MCM packaging technology allows a reduction of the PCB area by 50% with a

weight savings of 75% compared to four 4Mbit packages.

Thanks to the small size of the 4Mbit SRAM die, Atmel has been able to accommo-

date the assembly of the four dice on one side of the package which facilitates the

power dissipation.

The compatibility with other products allows designers to easily migrate to the Atmel

AT68166F/G memory.

The AT68166F/G is powered at 3.3V.

The AT68166F/G is processed according to the test methods of the latest revision of

the MIL-PRF-38535 or the ESCC 9000.

7747A–AERO–07/07

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